华科智源的二极管浪涌电流测试仪，可测试二极管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌电流能力，可输出底宽10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌电流根据具体需求可选择800A,1200A,3000A以及定制8000A以上，最大电流可达50kA。

ITC55100雪崩能量测试仪是原成功产品ITC5510的升级版本，它能执行ITC5510系列的所有测试，同时增加了许多功能，如提高测试精度，测试结果的收集，查看测试结果，连接多个被测品。ITC55100可以用来对功率MOSFET和IGBT的耐用性测试。 它还能测试单，双二极管，使用ITC55 RSF输出选择器盒还可以测量IGBT的正向和反向偏置。

IGBT双脉冲测试平台双脉冲测试平台主要是通过特定程序控制功率元件在可控范围内两次开通，并测量过程中各种动态参数，特别是在不同母线电压，不同温度下参数差异，是评估 FRD 和 IGBT 二十多种动态参数重要测量手段。同时也是功率元件驱动及保护电路参数调整和验证的测量平台。

ITC57300 MOS管动态参数测试仪是美国ITC公司设计生产的高集成度功率半导体分立器件动态参数测试设备，采用测试主机+功能测试头+个性板的测试架构，可以满足N沟道、P沟道器件、双极晶体管等的各项动态参数的测试要求，且具有波形实时显示分析功能，是目前完备可靠的动态参数测试设备。

华科智源大功率IGBT静态参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。