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MOS管动态参数测试仪

ITC57300 MOS管动态参数测试仪是美国ITC公司设计生产的高集成度功率半导体分立器件动态参数测试设备,采用测试主机+功能测试头+个性板的测试架构,可以满足N沟道、P沟道器件、双极晶体管等的各项动态参数的测试要求,且具有波形实时显示分析功能,是目前完备可靠的动态参数测试设备。

  • 产品型号:ITC57300
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2023-12-11
  • 访  问  量:1709
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详细介绍
品牌其他品牌价格区间面议
应用领域能源,电子,交通,汽车,电气

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MOS管动态参数测试仪


主要测试能力

1.测试电压:1200 VDC 200(短路电流可达1000A)

2.定时测量:为1 ns

3.漏电流限制监视器

4.MOSFET开关时间测试, Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 

5.MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢复时间测试,Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps

6.Qrr range:1nc~100uc,Trr range:10ns~2us

7.MOSFET栅电荷Qg测试,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 

8.IGBT感性开关时间测试,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps,Inductors range:0.1mH~159.9mH

9.IGBT短路耐量测试,Max ISC=1000A


测试标准

MIL-STD-750 Series


MOS管动态参数测试仪选项

1.额外的电源供应器

2.额外的测试头

3.大包装适配器


测试仪测试头

1.ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET,MIL-STD-750方法3472开关时间

2.ITC57220 - TRR /电源,MOSFET和二极管的Qrr,MIL-STD-750方法,3473

3.ITC57230 - 栅极电荷功率MOSFET,MIL-STD-750方法3471

4.ITC57240 - 电感式开关时间为IGBT,MIL-STD 750方法3477

5.ITC57250 - (ISC)短路耐受时间,MIL-STD-750方法3479


ITC57210 开关时间测试头

此测试头以美军标 MIL-STD-750, Method 3472,验证功率器件MOSFETs,P沟道和N沟道的开关时间。所测量的参数包括 :Time Delay On[td(on)],Rise Time(tr),Time Delay Off [td(off)],Fall Time(tf)


ITC57230 栅电荷测试头

ITC57230对功率器件MOSFETs的栅电荷能力以美军标MIL-STD-750, Method 3471进行考验。 先给MOSFET管的栅极加电压,在栅极打开时,把一个恒电流,高阻抗的负载接到MOSFTE管的漏极。当漏极电流攀爬到用户设定的数值时,被测器件的栅电荷可通过向漏极导通可编程恒流源放(或P沟道器件,向源极导通)。通过监视栅电压和波形下各部分的面积便可计算出电荷量。


ITC57250 短路耐量测试头

ITC57250以美军标MIL-STD-750, Method 3479的定义,实行短路耐抗时间测试。在某些电路,如马达驱动电路,半导体器件须有能力抗衡并顶住短时间的短路状况。此测试就是用于验证器件在短路情况下所能承受的耐抗时间。器件内的电流是取决于器件的放大值(gain)和所使用的驱动脉宽。


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